碳化硅（SiC）是一种宽带隙半导体材料，与传统的硅（Si）材料相比，它具有诸多天然的优势。首先，碳化硅的禁带宽度约为硅的3倍，这意味着它能够在更高的温度、电压和频率下稳定工作。凭借这一特性，碳化硅晶圆制造的器件可以承受更高的功率密度，大大提升了能源转换效率。
其次，碳化硅的热导率是硅的3倍多，出色的散热性能让电子设备在高负荷运行时也能保持较低的温度，有效避免了因过热导致的性能下降和寿命缩短问题。这不仅简化了散热设计，还降低了设备的整体成本和体积，为产品的小型化和轻量化提供了可能。
再者，碳化硅的击穿电场强度约为硅的10倍，这使得基于碳化硅晶圆的功率器件能够在更高的电压下安全运行，并且可以实现更小的器件尺寸，进一步提升了芯片的集成度和性能。
碳化硅晶圆能应用在诸多领域：在新能源汽车领域，采用碳化硅晶圆制造的功率器件，能够显著降低能量损耗，提升充电速度，延长车辆的续航里程；在光伏发电领域，碳化硅功率器件凭借高开关频率和低损耗的优势，能够有效提高逆变器的转换效率，降低系统成本，为可再生能源的大规模应用提供了有力支持；在5G基站建设中，碳化硅器件可以满足高功率、高效率和高频率的需求，助力5G网络实现更快的传输速度和更低的延迟。
随着技术的不断成熟和成本的逐步降低，越来越多的企业开始布局碳化硅领域。从材料生长、晶圆制造到器件封装，一条完整的碳化硅产业链正在形成。
首页 > 新闻动态 > 行业动态
0371-61312177
在线咨询 8:30-17:00